深圳市专利协会--专利数据库

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标题
授权日
公开（公告）号
申请日
公开（公告）日
当前申请（专利权）人
发明人
操作

マイクロドライバ及びマイクロLEDのためのバックプレーン構造及びプロセス
1900-01-01
JP2020052404A
2019-11-22
2020-04-02
アップルインコーポレイテッド
フー, シン-ホア | チョイ, ジェイン | ペダー, ジェームズイー. | ビタ, イオン | タン, ハイロン | スー, チンウェイ | シャラサニ, サンディープ | チェン, チー-レイ | カン, スング | 小野晋也 | ヒュアン, ジャンエン | サイ, ルン
注释

마이크로드라이버 및 마이크로 LED에 대한 백플레인 구조 및 프로세스
1900-01-01
KR1020180103093A
2017-02-10
2018-09-18
애플 인크.
후,신 후아 | 최,재인 | 페더,제임스이. | 비타,이온 | 탕,하이롱 | 수,친웨이 | 칼라사니,산디프 | 천,치 레이 | 강,성구 | 오노,신야 | 후앙,중엔 | 차이,룬
注释

用于微驱动器和微LED的底板结构和方法
1900-01-01
CN108701691A
2017-02-10
2018-10-23
苹果公司
胡馨华 | 崔在仁 | J·E·佩德 | I·比塔 | 唐海榕 | 许锦纬 | S·查拉萨尼 | 陈之磊 | 康盛球 | 小野晋也 | 黃戎岩 | 蔡纶
注释

通过层转移制造微发光二极管(LED)
1900-01-01
CN110100306A
2017-11-10
2019-08-06
QMAT股份有限公司
弗兰乔斯·J·亨利
注释

層転写によるマイクロ発光ダイオード(LED)製造
1900-01-01
JP2020513681A
2017-11-10
2020-05-14
キューエムエイティ·インコーポレーテッド
ヘンリー,フランソワ·ジェイ
注释

Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer
1900-01-01
US20180138357A1
2017-11-10
2018-05-17
QMAT, INC.
HENLEY, FRANCOIS J.
注释

Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer
1900-01-01
EP3539153A2
2017-11-10
2019-09-18
QMAT, INC.
HENLEY, FRANCOIS J.
注释

층 이송에 의한 마이크로 발광 다이오드의 제조
1900-01-01
KR1020190082885A
2017-11-10
2019-07-10
큐맷, 인코포레이티드
헨리 프란시스 제이.
注释

显示基板及其制作方法、显示装置
2021-08-06
CN109817659B
2019-02-15
2021-08-06
京东方科技集团股份有限公司
刘冬妮 | 玄明花
注释