标题

Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer

授权日

1900-01-01

公开（公告）号

EP3539153A2

申请日

2017-11-10

公开（公告）日

2019-09-18

当前申请（专利权）人

QMAT, INC.

发明人

HENLEY, FRANCOIS J.

简单同族

CN110100306A | EP3539153A2 | JP2020513681A | KR1020190082885A | TW201836168A | US20180138357A1 | WO2018087704A2 | WO2018087704A3

简单同族成员数量

8

简单同族被引用专利总数

4

诉讼案件数

0

法律状态/事件

撤回