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폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그에 의해제조된 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 포함
授权日
1900-01-01
公开(公告)号
KR1020060100602A
申请日
2005-03-17
公开(公告)日
2006-09-21
当前申请(专利权)人
삼성전자주식회사
发明人
CHUNG, SE JIN
简单同族
JP2006261681A | JP2006261681A5 | KR1020060100602A | TW200703658A | US20060211181A1
简单同族成员数量
5
简单同族被引用专利总数
29
诉讼案件数
0
法律状态/事件
驳回
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