近日、华为、长虹、康佳、兆驰半导体、厦门大学相继公布了Micro LED发明专利，涉及提升Micro LED光效、提高巨量转移效率、Micro LED屏幕指纹识别应用等。

华为：申请Micro LED显示面板专利，可增大发光区面积提升光效

据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种Micro LED显示面板、显示设备及制造方法“，公开号：CN117690946A，申请日期为2022年9月。该方案可以增大发光区面积，提升光效。不需要巨量转移，提高合格率。防止光串扰，利于电流分布均匀。

图片来源：国家知识产权局

具体专利摘要内容如下：本申请公开了一种Micro LED显示面板、显示设备及制造方法，包括多个显示结构，每个显示结构包括：第一电极、第二电极、第一半导体层、第二半导体层和发光层；相邻的显示结构的第一电极、第一半导体层和发光层相互独立；第一半导体层和第二半导体层分别位于发光层的两侧表面；第一电极位于第一半导体层背离发光层的一侧，第二电极位于第二半导体层背离发光层的一侧；每个显示结构的发光层对应一个像素区；第二电极围绕每个像素区走线，第二电极为各个像素区的公共电极，且为相邻像素区之间的金属挡墙。

长虹电子：公布两项Micro LED发明专利

3月12日，长虹电子与启睿克科技公布了“Micro LED表面结构及制备方法”的发明专利，申请公布号： CN117693216A 。

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为了提高量子点光提取效率及准直效果，该专利提供了Micro LED表面结构及制备方法，通过在Micro LED芯片表面构造金属纳米环结构，当纳米环结构参数与中心量子点光波长相匹配时，会产生强烈的准直效应，可实现发出光线的定向准直功能；底部金属反射器收集量子点光源向下发出的光线，并反射至芯片发光方向，增加了发光方向的光子数，从而大大增加了量子点Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

另外，3月15日，长虹电子与启睿克科技共同公开了一项发明专利，名为“一种基于Micro LED的屏幕指纹识别装置和方法”，申请公布号：CN117711037A。

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为了解决目前的Micro LED的屏幕指纹识别需要设置额外的传感器，产生额外的光口比的问题，以及需要用户触摸指定的区域进行解锁，操作不简便的问题；

该专利发明提供一种基于Micro LED屏幕的指纹识别装置，当需要指纹识别功能时，触摸感应模块确认手指的按压位置，手指下方的第一LED芯片用作指纹识别的光源，与第二LED芯片连接的像素驱动电路测量第一LED芯片发射的光线经过指纹凸起和凹陷处的反射光在第二LED芯片上产生的光电流的电压差，确定指纹的形状；指纹识别功能完成，Micro LED屏幕恢复正常显示状态。

康佳：Micro LED保护膜、结构、显示装置及电子设备

3月12日，深圳康佳电子科技有限公司“Micro LED保护膜、Micro LED结构、显示装置及电子设备”的发明专利进入授权阶段。

该发明专利利用半透膜边缘的吸光材料吸收大角度的光线，有效改善了拼接缝亮线问题。

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具体专利摘要内容如下：本发明公开了一种Micro LED保护膜、Micro LED结构、显示装置及电子设备，Micro LED保护膜包括吸光材料以及单层半透膜或复合层半透膜，单层半透膜的边缘包围有吸光材料，复合层半透膜包括由内而外依次叠置的多层折射率相同或不同的半透膜，复合层半透膜的边缘包围有吸光材料。


兆驰半导体：一种Micro LED巨量转移方法

3月15日，兆驰半导体的发明专利“一种Micro LED巨量转移方法”公布，申请公布号CN117712241A。该技术无需高精度设计，可根据芯片的不同高度进行黏附转移，且能提高转移速率，并保证转移的高良率。

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具体专利摘要内容如下：本发明提供一种Micro LED巨量转移方法，包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上制备芯片；提供一基板，并在基板一面设置键合膜；将基板与衬底进行临时键合；对芯片进行衬底剥离；在芯片远离基板的一侧设置柱体；提供一转移头，将转移头的第三粘合部贴合柱体，以基于各柱体的高度差，同时将多个第一芯片或第二芯片或第三芯片从基板转移至电路板。通过采用光固化树脂，选择性固化出不同高度的芯片底座，并基于UV解粘胶的光照降低芯片与基板之间的粘性，最后基于高粘度的转移头对芯片进行批量转移。

厦门大学：提升Micro LED光提取效率

3月15日，厦门大学公布了一项发明专利，名为“一种提升光提取效率的Micro LED器件结构及制作方法”。申请公布号：CN117712263A。该发明通过减小电流密度差异，提高电子在材料中的迁移率，以改善电流在器件中的分布，降低电流密度，并减缓电流拥挤效应。从而大幅度提升器件性能。

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具体来看，该发明公开了一种提升光提取效率的Micro LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n-GaN层、MQW和p-GaN层，并通过由正面蚀刻至n-GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p-GaN层上，p电极和n电极分别设于第一电流扩展层和n-GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序覆盖器件结构的正面，p电极和n电极分别通过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n-GaN层在发光台面区域通过蚀刻形成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。（LEDinside整理）