从食品工业到时尚工业，再到半导体工业，将不同的材料组合在一起，同时发挥各自的优势，甚至创造出新的功能，一直是我们在日常研究中想要达到的效果。硅光子学中更倾向于将III-V族半导体材料集成到硅衬底上，以实现片上光源。

在各种集成方法中，利用晶圆键合技术将III-V族材料非均匀地集成到硅衬底上是目前最流行的一种，并已应用在商业产品中。另一方面，在硅衬底上直接外延生长III-V族材料层的方法同样引起了人们巨大的研究兴趣，因为从长远来看，它极有可能成为超高密度集成的最终解决方案。除了上述III-V-on-silicon（硅衬底上制备III-V族半导体材料）的光子集成方法外，一种新兴的通过在晶圆键合的衬底上外延再生长材料的III-V-on-silicon光子集成方法也引起了人们的广泛关注。

作为该课题的主要研究力量之一，惠普实验室的研究人员回顾了不同研究小组关于晶圆键合模板再生集成平台的最新研究工作。随着人们对集成模板发展异同的研究以及对外延生长和激光器制备技术的比较和分析，晶圆键合模板再生的新概念已经引起人们越来越多的兴趣，而且潜力巨大。进一步的分析讨论表明，该方法具有许多潜在优势，例如这种技术可以在硅衬底上提供高质量的激光材料，并且与其他现有的III-V-on-silicon集成方法相比更具有成本优势。特别是，除了硅光子学的片上光源和其他功能设备的巨大实用性外，惠普实验室的研究人员还认为，这种集成概念是将不同材料组合到不同基板上的通用方法。值得期待的是，该集成平台将应用于低成本、高产量、高集成密度的光子集成应用中，以及更广阔的先进材料组合领域。