이 도포된 상기 하부 기판(50a) 상에는 단위 화소 영역 각각에 채널층(55), 오믹 콘택층(56),

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이 도포된 상기 하부 기판(50a) 상에는 단위 화소 영역 각각에 채널층(55), 오믹 콘택층(56),
授权日

2010-10-14
公开（公告）号

KR100989256B1
申请日

2002-12-30
公开（公告）日

2010-10-20
当前申请（专利权）人

엘지디스플레이 주식회사
发明人

BAEK,HEUMIL
简单同族

KR100989256B1 | KR1020040060037A
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

未缴年费