标题

능동 소자와 화소 전극이 형성되고, 또한, 신호선의구조가 간소화된 능동 소자 기판, 및 이것을

授权日

1900-01-01

公开（公告）号

KR1020050024233A

申请日

2004-09-01

公开（公告）日

2005-03-10

当前申请（专利权）人

샤프 가부시키가이샤

发明人

엔다겐지 | 다께우찌마사노리 | 나가시마노부요시 | 곤도나오후미

简单同族

CN100343747C | CN1591151A | JP2005099733A | JP3958306B2 | KR100661416B1 | KR100731703B1 | KR1020050024233A | KR1020060082073A | TW200528816A | TWI296346B | US20050046764A1 | US20070109456A1 | US7196745 | US7440039

简单同族成员数量

14

简单同族被引用专利总数

59

诉讼案件数

0

法律状态/事件

放弃