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SOI substrate, method for making the same, semiconductive device and liquid crystal panel using the same
授权日
2001-12-18
公开(公告)号
US6331473
申请日
2000-04-28
公开(公告)日
2001-12-18
当前申请(专利权)人
SEIKO EPSON CORPORATION
发明人
HIRABAYASHI, YUKIYA
简单同族
US6331473
简单同族成员数量
1
简单同族被引用专利总数
26
诉讼案件数
0
法律状态/事件
期限届满
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