标题

局部的に酸化された多孔質シリコンからなる装置、および、その製造方法

授权日

1900-01-01

公开（公告）号

JP2006512563A

申请日

2003-03-28

公开（公告）日

2006-04-13

当前申请（专利权）人

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

发明人

デアティンガー,シュテファン | フリッツ,ミヒャエラ | フックス,カリン | ハネダー,トーマス | レーマン,フォルカー | マルティン,アルフレット | メルツ,ラインハルト

简单同族

CN1319649C | CN1646224A | DE10217569A1 | DE50305038D1 | EP1497030A2 | EP1497030B1 | JP2006512563A | JP4125244B2 | US20050233438A1 | US7410794 | WO2003089925A2 | WO2003089925A3

简单同族成员数量

12

简单同族被引用专利总数

21

诉讼案件数

0

法律状态/事件

未缴年费