발명의 명칭 전도성 흡음층 제조 방법 및 이를 구비하는 2차원 배열 초음파 트랜스듀서

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발명의 명칭 전도성 흡음층 제조 방법 및 이를 구비하는 2차원 배열 초음파 트랜스듀서
授权日

2012-05-24
公开（公告）号

KR101151844B1
申请日

2011-01-14
公开（公告）日

2012-06-01
当前申请（专利权）人

경북대학교 산학협력단
发明人

노용래 | 신은희 | 배병국 | 이형근 | 우정동
简单同族

KR101151844B1
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

4
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权