圧電セラミックスを用いた超音波トランスデューサ及びその製法

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圧電セラミックスを用いた超音波トランスデューサ及びその製法
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

JP2003037896A
申请日

2001-07-24
公开（公告）日

2003-02-07
当前申请（专利权）人

エスシーエム株式会社
发明人

一ノ瀬昇 | 遠藤安俊
简单同族

JP2003037896A
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

5
诉讼案件数

0
法律状态/事件

撤回