基于多层石墨烯纹身式无衬底电极制备方法及装置

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基于多层石墨烯纹身式无衬底电极制备方法及装置
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

CN110074758A
申请日

2019-04-08
公开（公告）日

2019-08-02
当前申请（专利权）人

清华大学
发明人

任天令 | 伍晓明 | 乔彦聪
简单同族

CN110074758A
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

实质审查