정공주입층 및/또는 저분자 정공수송층, 고분자-저분자혼성 발광층을 갖는 유기전계발광소자 및 그

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정공주입층 및/또는 저분자 정공수송층, 고분자-저분자혼성 발광층을 갖는 유기전계발광소자 및 그
授权日

2006-05-04
公开（公告）号

KR100579183B1
申请日

2003-07-21
公开（公告）日

2006-05-11
当前申请（专利权）人

삼성에스디아이 주식회사
发明人

진병두 | 김무현 | 서민철 | 양남철 | 이성택
简单同族

KR100579183B1 | KR1020050011071A
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

2
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权 | 权利转移