수용성 고분자층 및 이온화합물층의 이중 적층 구조를포함하는 고분자 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방

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수용성 고분자층 및 이온화합물층의 이중 적층 구조를포함하는 고분자 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방
授权日

2008-04-17
公开（公告）号

KR100824732B1
申请日

2006-11-09
公开（公告）日

2008-04-28
当前申请（专利权）人

경성대학교 산학협력단
发明人

김민숙 | 박동규 | 우형석 | 이승진
简单同族

KR100824732B1
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

6
诉讼案件数

0
法律状态/事件

未缴年费 | 权利转移