标题

Method of fabricating polysilicon, thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, and organic light emitting diode display device including the thin film transistor

授权日

1900-01-01

公开（公告）号

US20100163856A1

申请日

2009-12-30

公开（公告）日

2010-07-01

当前申请（专利权）人

SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

发明人

PARK, BYOUNG-KEON | LEE, DONG-HYUN | LEE, KIL-WON | YANG, TAE-HOON | SEO, JIN-WOOK | LEE, KI-YONG | AHN, JI-SU | LISACHENKO, MAXIM

简单同族

CN101771086A | CN101771086B | EP2204845A1 | JP2010157674A | JP5274341B2 | KR101049806B1 | KR1020100078860A | US20100163856A1 | US8278716

简单同族成员数量

9

简单同族被引用专利总数

1

诉讼案件数

0

法律状态/事件

授权 | 权利转移