絶縁材料によってEL層の成膜欠陥が被覆されたEL素子とその製造方法

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絶縁材料によってEL層の成膜欠陥が被覆されたEL素子とその製造方法
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

JP2003017262A
申请日

2001-07-04
公开（公告）日

2003-01-17
当前申请（专利权）人

大日本印刷株式会社
发明人

新井浩次 | 鶴岡美秋
简单同族

JP2003017262A
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

15
诉讼案件数

0
法律状态/事件

撤回