衝突励起型EL用蛍光体、衝突励起型EL用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜EL素子、薄膜ELディスプレイ及び薄膜ELランプ

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衝突励起型EL用蛍光体、衝突励起型EL用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜EL素子、薄膜ELディスプレイ及び薄膜ELランプ
授权日

2013-06-07
公开（公告）号

JP5283166B2
申请日

2008-08-29
公开（公告）日

2013-09-04
当前申请（专利权）人

学校法人金沢工業大学
发明人

南内嗣 | 宮田俊弘
简单同族

JP2009256573A | JP5283166B2
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

2
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权