一种含N-P＝S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用

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一种含N-P＝S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用
授权日

2016-08-17
公开（公告）号

CN104212439B
申请日

2014-08-15
公开（公告）日

2016-08-17
当前申请（专利权）人

南京邮电大学
发明人

陈润锋 | 黄维 | 陶冶 | 马力
简单同族

CN104212439A | CN104212439B
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

3
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权 | 许可