标题

空穴注入材料、发光元件用材料、发光元件、有机化合物、单体和单体混合物

授权日

2012-10-31

公开（公告）号

CN101167196B

申请日

2006-01-26

公开（公告）日

2012-10-31

当前申请（专利权）人

株式会社半导体能源研究所

发明人

铃木恒德 | 野村亮二 | 川上祥子

简单同族

CN101167196A | CN101167196B | EP1844504A1 | EP1844504A4 | KR101288586B1 | KR1020070099655A | US20080154005A1 | WO2006080553A1

简单同族成员数量

8

简单同族被引用专利总数

11

诉讼案件数

0

法律状态/事件

授权