标题

在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件

授权日

2007-12-12

公开（公告）号

CN100355109C

申请日

2002-08-28

公开（公告）日

2007-12-12

当前申请（专利权）人

伊斯曼柯达公司

发明人

郑世莺 | 石建民

简单同族

CN100355109C | CN1407838A | EP1289029A2 | EP1289029A3 | JP2003115384A | KR1020030019141A | TW560225B | US20030082401A1 | US6613457

简单同族成员数量

9

简单同族被引用专利总数

22

诉讼案件数

0

法律状态/事件

未缴年费