• 授权日:2007-02-02
  • 公开(公告)号:KR100680517B1
  • 申请日:2000-09-25
  • 公开(公告)日:2007-02-09
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KOYAMA,JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1638071A3
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2008-09-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:JUN, KOYAMA
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1638071A2
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2006-03-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:JUN, KOYAMA
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  • 授权日:2002-02-26
  • 公开(公告)号:US6351077
  • 申请日:2000-09-19
  • 公开(公告)日:2002-02-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20020063536A1
  • 申请日:2002-01-02
  • 公开(公告)日:2002-05-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, YUN
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  • 授权日:2003-09-09
  • 公开(公告)号:US6617799
  • 申请日:2002-01-02
  • 公开(公告)日:2003-09-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2010-06-16
  • 公开(公告)号:CN1624749B
  • 申请日:2000-09-23
  • 公开(公告)日:2010-06-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1624749A
  • 申请日:2000-09-23
  • 公开(公告)日:2005-06-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润
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  • 授权日:2021-09-22
  • 公开(公告)号:EP2909864B1
  • 申请日:2013-10-11
  • 公开(公告)日:2021-09-22
  • 当前申请(专利权)人:APPLE INC.
  • 发明人:DE JONG, ERIK, G. | SHEDLETSKY, ANNA-KATRINA | HOLENARSIPUR, PRASHANTH S., S.
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