• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100213827A1
  • 申请日:2008-12-25
  • 公开(公告)日:2010-08-26
  • 当前申请(专利权)人:JOLED INC
  • 发明人:YOSHIDA, HIDEHIRO | KANEGAE, ARINOBU | NAKATANI, SHUHEI | YAMAMURO, KEISEI
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  • 授权日:2010-01-15
  • 公开(公告)号:JP4439589B2
  • 申请日:2008-12-25
  • 公开(公告)日:2010-03-24
  • 当前申请(专利权)人:パナソニック株式会社
  • 发明人:吉田 英博 | 鐘ヶ江 有宣 | 中谷 修平 | 山室 景成
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JPWO2009084209A1
  • 申请日:2008-12-25
  • 公开(公告)日:2011-05-12
  • 当前申请(专利权)人:パナソニック株式会社
  • 发明人:吉田 英博 | 鐘ヶ江 有宣 | 中谷 修平 | 山室 景成
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  • 授权日:2006-04-13
  • 公开(公告)号:KR100572657B1
  • 申请日:2003-11-13
  • 公开(公告)日:2006-04-24
  • 当前申请(专利权)人:산요덴키가부시키가이샤
  • 发明人:NISHIKAWA,RYUJI
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  • 授权日:2011-08-10
  • 公开(公告)号:CN1892767B
  • 申请日:2006-07-04
  • 公开(公告)日:2011-08-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 山崎舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1892767A
  • 申请日:2006-07-04
  • 公开(公告)日:2007-01-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 山崎舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070001945A1
  • 申请日:2006-06-28
  • 公开(公告)日:2007-01-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:2014-04-08
  • 公开(公告)号:US8692740
  • 申请日:2006-06-28
  • 公开(公告)日:2014-04-08
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050146262A1
  • 申请日:2005-01-25
  • 公开(公告)日:2005-07-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. | TDK CORPORATION
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | ARAI, MICHIO
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