• 授权日:2008-02-28
  • 公开(公告)号:KR100810458B1
  • 申请日:2006-10-23
  • 公开(公告)日:2008-03-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 이누카이카주타카 | 야마자키순페이 | 오사다마이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020032483A
  • 申请日:2002-04-04
  • 公开(公告)日:2002-05-03
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 이누카이카주타카 | 야먀자키순페이 | 오사다마이
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  • 授权日:2014-03-05
  • 公开(公告)号:EP1094436B1
  • 申请日:2000-10-20
  • 公开(公告)日:2014-03-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | INUKAI, KAZUTAKA | YAMAZAKI, SHUNPEI | OSADA, MAI
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  • 授权日:2011-04-22
  • 公开(公告)号:JP4727030B2
  • 申请日:2000-10-12
  • 公开(公告)日:2011-07-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 犬飼 和隆 | 山崎 舜平 | 長田 麻衣
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013210642A
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2013-10-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 犬飼 和隆 | 山崎 舜平 | 秋葉 麻衣
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002297095A
  • 申请日:2001-03-30
  • 公开(公告)日:2002-10-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社日立製作所
  • 发明人:三上 佳朗 | 大内 貴之 | 金子 好之 | 佐藤 敏浩
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1246157A3
  • 申请日:2001-08-29
  • 公开(公告)日:2004-03-17
  • 当前申请(专利权)人:HITACHI, LTD.
  • 发明人:MIKAMI, YOSHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | OUCHI, TAKAYUCHI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | KANEKO, YOSHIYUKI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | SATO, TOSHIHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1246157A2
  • 申请日:2001-08-29
  • 公开(公告)日:2002-10-02
  • 当前申请(专利权)人:HITACHI, LTD.
  • 发明人:MIKAMI, YOSHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | OUCHI, TAKAYUCHI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | KANEKO, YOSHIYUKI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | SATO, TOSHIHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP.
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  • 授权日:2007-01-24
  • 公开(公告)号:EP1246157B1
  • 申请日:2001-08-29
  • 公开(公告)日:2007-01-24
  • 当前申请(专利权)人:HITACHI, LTD.
  • 发明人:MIKAMI, YOSHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | OUCHI, TAKAYUKI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | KANEKO, YOSHIYUKI, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP. | SATO, TOSHIHIRO, HITACHI, LTD., INT. PROP. GP.
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