• 授权日:2009-11-24
  • 公开(公告)号:US7623098
  • 申请日:2004-08-18
  • 公开(公告)日:2009-11-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
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  • 授权日:2012-06-05
  • 公开(公告)号:US8194008
  • 申请日:2011-02-18
  • 公开(公告)日:2012-06-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1148466A3
  • 申请日:2001-04-18
  • 公开(公告)日:2009-10-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1148466A2
  • 申请日:2001-04-18
  • 公开(公告)日:2001-10-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
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  • 授权日:2009-11-24
  • 公开(公告)号:US7623100
  • 申请日:2004-08-18
  • 公开(公告)日:2009-11-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20010033252A1
  • 申请日:2001-04-13
  • 公开(公告)日:2001-10-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050017963A1
  • 申请日:2004-08-18
  • 公开(公告)日:2005-01-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050012731A1
  • 申请日:2004-08-18
  • 公开(公告)日:2005-01-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20010030511A1
  • 申请日:2001-03-29
  • 公开(公告)日:2001-10-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
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