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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101127188A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2008-02-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101042840A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2007-09-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1419228A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2003-05-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2007-11-21
- 公开(公告)号:CN100350447C
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2007-11-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1310937A1
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2003-05-14
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20130228783A1
- 申请日:2013-04-03
- 公开(公告)日:2013-09-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20180138215A1
- 申请日:2017-11-16
- 公开(公告)日:2018-05-17
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2017-11-24
- 公开(公告)号:JP6247716B2
- 申请日:2016-04-22
- 公开(公告)日:2017-12-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013178528A
- 申请日:2013-04-02
- 公开(公告)日:2013-09-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇