• 授权日:2016-07-22
  • 公开(公告)号:JP5973025B2
  • 申请日:2015-04-17
  • 公开(公告)日:2016-08-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1310937A1
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2003-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-11-13
  • 公开(公告)号:US10128280
  • 申请日:2017-11-16
  • 公开(公告)日:2018-11-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190181162A1
  • 申请日:2018-11-07
  • 公开(公告)日:2019-06-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101042840A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2007-09-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2011-12-14
  • 公开(公告)号:CN101042840B
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-12-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1419228A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2003-05-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2007-11-21
  • 公开(公告)号:CN100350447C
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2007-11-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101127188A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2008-02-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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