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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1419228A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2003-05-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2007-11-21
- 公开(公告)号:CN100350447C
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2007-11-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101127188A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2008-02-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1310937A1
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2003-05-14
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013167880A
- 申请日:2013-03-07
- 公开(公告)日:2013-08-29
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015172754A
- 申请日:2015-04-17
- 公开(公告)日:2015-10-01
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2012-05-02
- 公开(公告)号:CN101127188B
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2012-05-02
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190181162A1
- 申请日:2018-11-07
- 公开(公告)日:2019-06-13
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2018-11-13
- 公开(公告)号:US10128280
- 申请日:2017-11-16
- 公开(公告)日:2018-11-13
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME