• 授权日:2006-11-28
  • 公开(公告)号:KR100653809B1
  • 申请日:2005-06-15
  • 公开(公告)日:2006-12-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마우치유키오 | 후쿠나가다케시
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050073241A1
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2005-04-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 授权日:2008-12-16
  • 公开(公告)号:US7466293
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2008-12-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 注释
  • 授权日:2013-03-26
  • 公开(公告)号:US8405594
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2013-03-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110012818A1
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2011-01-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001067018A
  • 申请日:2000-06-13
  • 公开(公告)日:2001-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山内 幸夫 | 福永 健司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102076816A
  • 申请日:2009-10-15
  • 公开(公告)日:2011-05-25
  • 当前申请(专利权)人:默克专利有限公司
  • 发明人:埃米尔·侯赛因·帕勒姆 | 阿尔内·比辛 | 安雅·格哈德 | 约阿希姆·凯泽 | 罗科·福特
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  • 授权日:2014-10-22
  • 公开(公告)号:CN102076816B
  • 申请日:2009-10-15
  • 公开(公告)日:2014-10-22
  • 当前申请(专利权)人:默克专利有限公司
  • 发明人:埃米尔·侯赛因·帕勒姆 | 阿尔内·比辛 | 安雅·格哈德 | 约阿希姆·凯泽 | 罗科·福特
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101415795A
  • 申请日:2007-03-03
  • 公开(公告)日:2009-04-22
  • 当前申请(专利权)人:默克专利有限公司
  • 发明人:菲利普·施特塞尔 | 霍尔格·黑尔 | 阿尔内·比辛
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