• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140253841A1
  • 申请日:2014-05-23
  • 公开(公告)日:2014-09-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUKUTOME, TAKAHIRO
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  • 授权日:2013-05-22
  • 公开(公告)号:CN101308643B
  • 申请日:2008-05-16
  • 公开(公告)日:2013-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:福留贵浩
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101308643A
  • 申请日:2008-05-16
  • 公开(公告)日:2008-11-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:福留贵浩
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  • 授权日:2016-06-07
  • 公开(公告)号:US9360704
  • 申请日:2014-05-23
  • 公开(公告)日:2016-06-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUKUTOME, TAKAHIRO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070195250A1
  • 申请日:2007-02-21
  • 公开(公告)日:2007-08-23
  • 当前申请(专利权)人:JAPAN DISPLAY WEST INC.
  • 发明人:ONOGI, TOMOHIDE | SEGAWA, YASUO
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  • 授权日:2005-01-11
  • 公开(公告)号:US6842209
  • 申请日:2001-07-09
  • 公开(公告)日:2005-01-11
  • 当前申请(专利权)人:NEC CORPORATION
  • 发明人:SUMIYOSHI, KEN | HAYAMA, HIROSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20040021809A1
  • 申请日:2001-07-09
  • 公开(公告)日:2004-02-05
  • 当前申请(专利权)人:NEC CORPORATION
  • 发明人:SUMIYOSHI, KEN | HAYAMA, HIROSHI
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  • 授权日:2008-07-24
  • 公开(公告)号:KR100849576B1
  • 申请日:2007-02-21
  • 公开(公告)日:2008-07-31
  • 当前申请(专利权)人:엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤
  • 发明人:세가와야스오 | 오노기도모히데
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  • 授权日:2009-11-27
  • 公开(公告)号:JP4412441B2
  • 申请日:2000-07-11
  • 公开(公告)日:2010-02-10
  • 当前申请(专利权)人:日本電気株式会社
  • 发明人:住吉 研 | 葉山 浩
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