• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2018141983A
  • 申请日:2018-03-14
  • 公开(公告)日:2018-09-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070126969A1
  • 申请日:2006-12-01
  • 公开(公告)日:2007-06-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2010-08-10
  • 公开(公告)号:US7773182
  • 申请日:2006-12-01
  • 公开(公告)日:2010-08-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2017-05-19
  • 公开(公告)号:JP6145533B2
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2017-06-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2017-05-19
  • 公开(公告)号:JP6145500B2
  • 申请日:2015-12-23
  • 公开(公告)日:2017-06-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2020-01-21
  • 公开(公告)号:US10539847
  • 申请日:2019-06-10
  • 公开(公告)日:2020-01-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2020-03-13
  • 公开(公告)号:KR102091109B1
  • 申请日:2019-03-04
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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  • 授权日:2017-10-10
  • 公开(公告)号:KR101786102B1
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2017-11-15
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120019371A
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2012-03-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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