• 授权日:2020-03-13
  • 公开(公告)号:KR102091109B1
  • 申请日:2019-03-04
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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  • 授权日:2015-03-30
  • 公开(公告)号:KR101508633B1
  • 申请日:2013-07-26
  • 公开(公告)日:2015-04-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019191614A
  • 申请日:2019-08-07
  • 公开(公告)日:2019-10-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016040637A
  • 申请日:2015-12-23
  • 公开(公告)日:2016-03-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2017-05-10
  • 公开(公告)号:EP2270583B1
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2017-05-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013047857A
  • 申请日:2012-12-05
  • 公开(公告)日:2013-03-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017054152A
  • 申请日:2016-12-26
  • 公开(公告)日:2017-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20200150474A1
  • 申请日:2020-01-07
  • 公开(公告)日:2020-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020070058971A
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2007-06-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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