• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130095706A
  • 申请日:2013-07-26
  • 公开(公告)日:2013-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2015-09-10
  • 公开(公告)号:KR101553688B1
  • 申请日:2014-02-20
  • 公开(公告)日:2015-09-17
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140030296A
  • 申请日:2014-02-20
  • 公开(公告)日:2014-03-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140009092A
  • 申请日:2013-12-27
  • 公开(公告)日:2014-01-22
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2017-03-08
  • 公开(公告)号:EP1793266B1
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2017-03-08
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019133201A
  • 申请日:2019-05-16
  • 公开(公告)日:2019-08-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013047857A
  • 申请日:2012-12-05
  • 公开(公告)日:2013-03-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016040637A
  • 申请日:2015-12-23
  • 公开(公告)日:2016-03-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017054152A
  • 申请日:2016-12-26
  • 公开(公告)日:2017-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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