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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070126969A1
- 申请日:2006-12-01
- 公开(公告)日:2007-06-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2010-08-10
- 公开(公告)号:US7773182
- 申请日:2006-12-01
- 公开(公告)日:2010-08-10
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2270583A3
- 申请日:2006-11-20
- 公开(公告)日:2013-07-17
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2270583A2
- 申请日:2006-11-20
- 公开(公告)日:2011-01-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1793266A1
- 申请日:2006-11-20
- 公开(公告)日:2007-06-06
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019191614A
- 申请日:2019-08-07
- 公开(公告)日:2019-10-31
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019133201A
- 申请日:2019-05-16
- 公开(公告)日:2019-08-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018141983A
- 申请日:2018-03-14
- 公开(公告)日:2018-09-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020070058971A
- 申请日:2006-11-30
- 公开(公告)日:2007-06-11
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키