• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019191614A
  • 申请日:2019-08-07
  • 公开(公告)日:2019-10-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2013-02-08
  • 公开(公告)号:JP5194071B2
  • 申请日:2010-07-26
  • 公开(公告)日:2013-05-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019168726A
  • 申请日:2019-06-28
  • 公开(公告)日:2019-10-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016153913A
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2016-08-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103149750A
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2013-06-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2020-01-21
  • 公开(公告)号:US10539847
  • 申请日:2019-06-10
  • 公开(公告)日:2020-01-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2016-01-12
  • 公开(公告)号:US9235090
  • 申请日:2014-03-24
  • 公开(公告)日:2016-01-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140204325A1
  • 申请日:2014-03-24
  • 公开(公告)日:2014-07-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2016-04-19
  • 公开(公告)号:US9316881
  • 申请日:2013-12-24
  • 公开(公告)日:2016-04-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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