• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160195785A1
  • 申请日:2016-03-14
  • 公开(公告)日:2016-07-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2018-02-27
  • 公开(公告)号:US9904127
  • 申请日:2017-01-04
  • 公开(公告)日:2018-02-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2013-12-31
  • 公开(公告)号:US8619227
  • 申请日:2012-04-10
  • 公开(公告)日:2013-12-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170115538A1
  • 申请日:2017-01-04
  • 公开(公告)日:2017-04-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120194758A1
  • 申请日:2012-04-10
  • 公开(公告)日:2012-08-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020160115899A
  • 申请日:2016-09-27
  • 公开(公告)日:2016-10-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140012928A
  • 申请日:2013-12-27
  • 公开(公告)日:2014-02-04
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2015-03-30
  • 公开(公告)号:KR101508633B1
  • 申请日:2013-07-26
  • 公开(公告)日:2015-04-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190025878A
  • 申请日:2019-03-04
  • 公开(公告)日:2019-03-12
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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