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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016153913A
- 申请日:2016-04-18
- 公开(公告)日:2016-08-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2013-02-08
- 公开(公告)号:JP5194071B2
- 申请日:2010-07-26
- 公开(公告)日:2013-05-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2017-05-19
- 公开(公告)号:JP6145533B2
- 申请日:2016-04-18
- 公开(公告)日:2017-06-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2017-05-19
- 公开(公告)号:JP6145500B2
- 申请日:2015-12-23
- 公开(公告)日:2017-06-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20100296041A1
- 申请日:2010-08-02
- 公开(公告)日:2010-11-25
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2011-02-01
- 公开(公告)号:US7880848
- 申请日:2010-08-02
- 公开(公告)日:2011-02-01
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2017-03-08
- 公开(公告)号:EP1793266B1
- 申请日:2006-11-20
- 公开(公告)日:2017-03-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017054152A5
- 申请日:2016-12-26
- 公开(公告)日:2017-08-31
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2018-02-27
- 公开(公告)号:US9904127
- 申请日:2017-01-04
- 公开(公告)日:2018-02-27
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI