• 授权日:2014-12-01
  • 公开(公告)号:KR101469934B1
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2014-12-05
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200030522A
  • 申请日:2020-03-12
  • 公开(公告)日:2020-03-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140009092A
  • 申请日:2013-12-27
  • 公开(公告)日:2014-01-22
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170119322A
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2018-09-14
  • 公开(公告)号:KR101900848B1
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2018-09-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103149750A
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2013-06-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070126969A1
  • 申请日:2006-12-01
  • 公开(公告)日:2007-06-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2010-08-10
  • 公开(公告)号:US7773182
  • 申请日:2006-12-01
  • 公开(公告)日:2010-08-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2017-03-08
  • 公开(公告)号:EP1793266B1
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2017-03-08
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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