• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010506214A5
  • 申请日:2007-09-26
  • 公开(公告)日:2010-11-11
  • 当前申请(专利权)人:スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
  • 发明人:ブロット,ロバート エル. | シュルツ,ジョン シー. | ネルソン,ジョン シー. | ブライアン,ウィリアム ジェイ. | ウィーバー,ビリー エル. | ブリガム,スコット イー. | ルンディン,デイビッド ジェイ. | メイス,マイケル エー. | エーネス,デイル エル. | クーチ,マイケル ピー.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008116502A
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-03-08
  • 公开(公告)号:JP5216204B2
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2013-06-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 注释
  • 授权日:2015-02-24
  • 公开(公告)号:US8964156
  • 申请日:2014-07-03
  • 公开(公告)日:2015-02-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140313445A1
  • 申请日:2014-07-03
  • 公开(公告)日:2014-10-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120162561A1
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2012-06-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2016-01-14
  • 公开(公告)号:KR101587029B1
  • 申请日:2015-02-27
  • 公开(公告)日:2016-01-25
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190045113A
  • 申请日:2019-04-19
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190100140A
  • 申请日:2019-08-20
  • 公开(公告)日:2019-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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