• 授权日:2011-03-22
  • 公开(公告)号:US7911547
  • 申请日:2007-10-02
  • 公开(公告)日:2011-03-22
  • 当前申请(专利权)人:3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
  • 发明人:BROTT, ROBERT L. | BRYAN, WILLIAM J. | LUNDIN, DAVID J. | MEIS, MICHAEL A. | SCHULTZ, JOHN C.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008116502A
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080039313A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA,HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180088425A1
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2018-03-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2020-06-30
  • 公开(公告)号:US10698277
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2020-06-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020160051715A
  • 申请日:2016-04-27
  • 公开(公告)日:2016-05-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME 키무라하지메
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  • 授权日:2019-04-22
  • 公开(公告)号:KR101972763B1
  • 申请日:2017-03-21
  • 公开(公告)日:2019-04-29
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020150037778A
  • 申请日:2015-02-27
  • 公开(公告)日:2015-04-08
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190045113A
  • 申请日:2019-04-19
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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