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- 授权日:2017-03-03
- 公开(公告)号:JP6100880B2
- 申请日:2015-12-28
- 公开(公告)日:2017-03-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016118789A
- 申请日:2015-12-28
- 公开(公告)日:2016-06-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011145667A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-07-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN107886916A
- 申请日:2010-11-16
- 公开(公告)日:2018-04-06
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102640207A
- 申请日:2010-11-16
- 公开(公告)日:2012-08-15
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019008321A
- 申请日:2018-09-21
- 公开(公告)日:2019-01-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017122921A
- 申请日:2017-02-23
- 公开(公告)日:2017-07-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:2015-08-11
- 公开(公告)号:US9105256
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2015-08-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140210808A1
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2014-07-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI