• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013050738A
  • 申请日:2012-11-26
  • 公开(公告)日:2013-03-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2015-09-11
  • 公开(公告)号:JP5805944B2
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2015-11-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2013-10-25
  • 公开(公告)号:JP5393867B2
  • 申请日:2012-11-26
  • 公开(公告)日:2014-01-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017122921A
  • 申请日:2017-02-23
  • 公开(公告)日:2017-07-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN107886916A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2018-04-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2015-08-11
  • 公开(公告)号:US9105256
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2015-08-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140210808A1
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2014-07-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019008321A
  • 申请日:2018-09-21
  • 公开(公告)日:2019-01-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102640207A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2012-08-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页