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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013050738A
- 申请日:2012-11-26
- 公开(公告)日:2013-03-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:2015-09-11
- 公开(公告)号:JP5805944B2
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2015-11-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:2013-10-25
- 公开(公告)号:JP5393867B2
- 申请日:2012-11-26
- 公开(公告)日:2014-01-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017122921A
- 申请日:2017-02-23
- 公开(公告)日:2017-07-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN107886916A
- 申请日:2010-11-16
- 公开(公告)日:2018-04-06
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
- 授权日:2015-08-11
- 公开(公告)号:US9105256
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2015-08-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140210808A1
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2014-07-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019008321A
- 申请日:2018-09-21
- 公开(公告)日:2019-01-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102640207A
- 申请日:2010-11-16
- 公开(公告)日:2012-08-15
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平