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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015146053A5
- 申请日:2015-05-20
- 公开(公告)日:2016-01-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2012-09-05
- 公开(公告)号:CN1991545B
- 申请日:2006-12-28
- 公开(公告)日:2012-09-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014115677A
- 申请日:2014-02-20
- 公开(公告)日:2014-06-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012032836A
- 申请日:2011-11-03
- 公开(公告)日:2012-02-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2014-10-24
- 公开(公告)号:JP5634629B2
- 申请日:2014-02-20
- 公开(公告)日:2014-12-03
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020070070129A
- 申请日:2006-12-28
- 公开(公告)日:2007-07-03
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:KIMURA HAJIME
- 授权日:2010-10-26
- 公开(公告)号:US7821613
- 申请日:2006-12-21
- 公开(公告)日:2010-10-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019139246A
- 申请日:2019-04-26
- 公开(公告)日:2019-08-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015146053A
- 申请日:2015-05-20
- 公开(公告)日:2015-08-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇