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- 授权日:2015-05-20
- 公开(公告)号:CN102354066B
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2015-05-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:梅崎敦司
- 授权日:2011-11-23
- 公开(公告)号:CN101135791B
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2011-11-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:梅崎敦司
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102354066A
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2012-02-15
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:梅崎敦司
- 授权日:2014-12-24
- 公开(公告)号:CN102419962B
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2014-12-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:梅崎敦司
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102419962A
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2012-04-18
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:梅崎敦司
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20170285431A1
- 申请日:2017-06-16
- 公开(公告)日:2017-10-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:UMEZAKI, ATSUSHI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160238916A1
- 申请日:2016-04-28
- 公开(公告)日:2016-08-18
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:UMEZAKI, ATSUSHI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020080021557A
- 申请日:2007-08-31
- 公开(公告)日:2008-03-07
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:UMEZAKI ATSUSHI
- 授权日:2015-01-12
- 公开(公告)号:KR101483421B1
- 申请日:2013-12-30
- 公开(公告)日:2015-01-21
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:UMEZAKI ATSUSHI