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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015092255A
- 申请日:2014-12-05
- 公开(公告)日:2015-05-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011145666A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-07-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016191920A
- 申请日:2016-04-18
- 公开(公告)日:2016-11-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:2016-02-02
- 公开(公告)号:US9251748
- 申请日:2014-11-20
- 公开(公告)日:2016-02-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20150154925A1
- 申请日:2014-11-20
- 公开(公告)日:2015-06-04
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020200006636A
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2020-01-20
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마 준 | 미야께 히로유끼
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2010072658A5
- 申请日:2009-11-06
- 公开(公告)日:2010-06-03
- 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
- 发明人:坂井 彰
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101852950A
- 申请日:2005-06-28
- 公开(公告)日:2010-10-06
- 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
- 发明人:坂井彰
- 授权日:2011-10-19
- 公开(公告)号:CN101852950B
- 申请日:2005-06-28
- 公开(公告)日:2011-10-19
- 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
- 发明人:坂井彰