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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011145666A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-07-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020150135540A
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2015-12-02
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
- 授权日:2017-07-25
- 公开(公告)号:KR101763508B1
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2017-07-31
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014142656A
- 申请日:2014-03-14
- 公开(公告)日:2014-08-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013137565A
- 申请日:2013-02-22
- 公开(公告)日:2013-07-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN105390110A
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2016-03-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:小山润 | 三宅博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018081313A
- 申请日:2017-12-19
- 公开(公告)日:2018-05-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015092255A
- 申请日:2014-12-05
- 公开(公告)日:2015-05-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:2019-04-30
- 公开(公告)号:CN105390110B
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2019-04-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:小山润 | 三宅博之