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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012256052A5
- 申请日:2012-06-25
- 公开(公告)日:2013-02-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:2013-03-01
- 公开(公告)号:JP5211255B2
- 申请日:2012-06-25
- 公开(公告)日:2013-06-12
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016191920A
- 申请日:2016-04-18
- 公开(公告)日:2016-11-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011145666A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-07-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140078132A1
- 申请日:2013-11-25
- 公开(公告)日:2014-03-20
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:2017-07-20
- 公开(公告)号:KR101761957B1
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2017-07-26
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020120105481A
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2012-09-25
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020130063035A
- 申请日:2010-11-22
- 公开(公告)日:2013-06-13
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014142656A
- 申请日:2014-03-14
- 公开(公告)日:2014-08-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤 | 三宅 博之