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- 授权日:2019-04-30
- 公开(公告)号:CN104238205B
- 申请日:2014-06-05
- 公开(公告)日:2019-04-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:久保田大介 | 洼田勇介
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN104238205A
- 申请日:2014-06-05
- 公开(公告)日:2014-12-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:久保田大介 | 洼田勇介
- 授权日:2016-09-07
- 公开(公告)号:CN104145302B
- 申请日:2013-02-15
- 公开(公告)日:2016-09-07
- 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
- 发明人:田中纪行 | 熊田浩二
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020160065194A
- 申请日:2013-11-13
- 公开(公告)日:2016-06-08
- 当前申请(专利权)人:센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
- 发明人:차오,딴
- 授权日:2017-09-08
- 公开(公告)号:KR101778906B1
- 申请日:2013-11-13
- 公开(公告)日:2017-09-14
- 当前申请(专利权)人:센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
- 发明人:차오,딴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019168718A
- 申请日:2019-06-13
- 公开(公告)日:2019-10-03
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:久保田 大介 | 窪田 勇介
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018112766A
- 申请日:2018-04-23
- 公开(公告)日:2018-07-19
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:久保田 大介 | 窪田 勇介
- 授权日:2018-04-27
- 公开(公告)号:JP6329815B2
- 申请日:2014-05-28
- 公开(公告)日:2018-05-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:久保田 大介 | 窪田 勇介
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20180321559A1
- 申请日:2018-07-12
- 公开(公告)日:2018-11-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KUBOTA, DAISUKE | KUBOTA, YUSUKE