• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120062646A
  • 申请日:2012-01-17
  • 公开(公告)日:2012-06-14
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:UMEZAKI ATSUSHI
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  • 授权日:2011-11-23
  • 公开(公告)号:CN101135791B
  • 申请日:2007-08-31
  • 公开(公告)日:2011-11-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:梅崎敦司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102354066A
  • 申请日:2007-08-31
  • 公开(公告)日:2012-02-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:梅崎敦司
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  • 授权日:2014-12-24
  • 公开(公告)号:CN102419962B
  • 申请日:2007-08-31
  • 公开(公告)日:2014-12-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:梅崎敦司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102419962A
  • 申请日:2007-08-31
  • 公开(公告)日:2012-04-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:梅崎敦司
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  • 授权日:2013-06-11
  • 公开(公告)号:US8462100
  • 申请日:2011-11-30
  • 公开(公告)日:2013-06-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:UMEZAKI, ATSUSHI
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  • 授权日:2014-07-31
  • 公开(公告)号:KR101427081B1
  • 申请日:2007-08-31
  • 公开(公告)日:2014-08-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:UMEZAKI ATSUSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140018828A
  • 申请日:2013-12-30
  • 公开(公告)日:2014-02-13
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:UMEZAKI ATSUSHI
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  • 授权日:2015-01-12
  • 公开(公告)号:KR101483421B1
  • 申请日:2013-12-30
  • 公开(公告)日:2015-01-21
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:UMEZAKI ATSUSHI
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