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- 授权日:2014-12-19
- 公开(公告)号:JP5668106B2
- 申请日:2013-07-08
- 公开(公告)日:2015-02-12
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019066891A
- 申请日:2019-02-04
- 公开(公告)日:2019-04-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20080002079A1
- 申请日:2007-05-30
- 公开(公告)日:2008-01-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2010-12-07
- 公开(公告)号:US7847904
- 申请日:2007-05-30
- 公开(公告)日:2010-12-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016035584A
- 申请日:2015-10-09
- 公开(公告)日:2016-03-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2016-10-28
- 公开(公告)号:JP6030108B2
- 申请日:2014-12-15
- 公开(公告)日:2016-11-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015064606A
- 申请日:2014-12-15
- 公开(公告)日:2015-04-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190033639A1
- 申请日:2018-10-04
- 公开(公告)日:2019-01-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2018-10-09
- 公开(公告)号:US10095070
- 申请日:2013-12-11
- 公开(公告)日:2018-10-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME