• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170309239A1
  • 申请日:2017-07-11
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
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  • 授权日:2018-06-26
  • 公开(公告)号:US10008169
  • 申请日:2017-07-11
  • 公开(公告)日:2018-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130094218A
  • 申请日:2011-04-27
  • 公开(公告)日:2013-08-23
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:미야케히로유키 | 히데아키시시도 | 아라사와료
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  • 授权日:2017-09-29
  • 公开(公告)号:JP6215494B2
  • 申请日:2017-01-25
  • 公开(公告)日:2017-10-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012032799A5
  • 申请日:2011-06-28
  • 公开(公告)日:2012-11-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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  • 授权日:2017-02-03
  • 公开(公告)号:JP6084670B2
  • 申请日:2015-09-04
  • 公开(公告)日:2017-02-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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  • 授权日:2013-03-01
  • 公开(公告)号:JP5211208B2
  • 申请日:2011-06-28
  • 公开(公告)日:2013-06-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017126070A
  • 申请日:2017-01-25
  • 公开(公告)日:2017-07-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012032799A
  • 申请日:2011-06-28
  • 公开(公告)日:2012-02-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
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