• 授权日:2014-10-07
  • 公开(公告)号:US8854581
  • 申请日:2010-08-19
  • 公开(公告)日:2014-10-07
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:YOSHIDA, MASAHIRO | TASHIRO, KUNIHIRO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120154703A1
  • 申请日:2010-08-19
  • 公开(公告)日:2012-06-21
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:YOSHIDA, MASAHIRO | TASHIRO, KUNIHIRO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140375918A1
  • 申请日:2014-09-10
  • 公开(公告)日:2014-12-25
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:YOSHIDA, MASAHIRO | TASHIRO, KUNIHIRO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20090121987A1
  • 申请日:2008-11-12
  • 公开(公告)日:2009-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUKUTOME, TAKAHIRO | NISHI, TAKESHI
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  • 授权日:2014-05-13
  • 公开(公告)号:US8723781
  • 申请日:2008-11-12
  • 公开(公告)日:2014-05-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUKUTOME, TAKAHIRO | NISHI, TAKESHI
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  • 授权日:2015-04-03
  • 公开(公告)号:KR101510653B1
  • 申请日:2008-10-30
  • 公开(公告)日:2015-04-10
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:후쿠토메다카히로 | 니시타케시
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014041374A
  • 申请日:2013-10-04
  • 公开(公告)日:2014-03-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:福留 貴浩 | 西 毅
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  • 授权日:2014-10-17
  • 公开(公告)号:JP5632059B2
  • 申请日:2013-10-04
  • 公开(公告)日:2014-11-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:福留 貴浩 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014102509A
  • 申请日:2013-12-20
  • 公开(公告)日:2014-06-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:宮口 厚 | 岡本 知広
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