• 授权日:2016-04-22
  • 公开(公告)号:JP5923575B2
  • 申请日:2014-09-12
  • 公开(公告)日:2016-05-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080151151A1
  • 申请日:2007-12-13
  • 公开(公告)日:2008-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2013-03-19
  • 公开(公告)号:US8400590
  • 申请日:2012-04-19
  • 公开(公告)日:2013-03-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2013-05-02
  • 公开(公告)号:JP5258277B2
  • 申请日:2007-12-12
  • 公开(公告)日:2013-08-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008181099A
  • 申请日:2007-12-12
  • 公开(公告)日:2008-08-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:2014-09-26
  • 公开(公告)号:JP5619310B2
  • 申请日:2014-01-21
  • 公开(公告)日:2014-11-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016194696A
  • 申请日:2016-04-07
  • 公开(公告)日:2016-11-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019020751A
  • 申请日:2018-10-30
  • 公开(公告)日:2019-02-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102692777A
  • 申请日:2007-12-26
  • 公开(公告)日:2012-09-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:藤川最史 | 木村肇
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