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- 授权日:2016-04-22
- 公开(公告)号:JP5923575B2
- 申请日:2014-09-12
- 公开(公告)日:2016-05-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20080151151A1
- 申请日:2007-12-13
- 公开(公告)日:2008-06-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
- 授权日:2013-03-19
- 公开(公告)号:US8400590
- 申请日:2012-04-19
- 公开(公告)日:2013-03-19
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
- 授权日:2013-05-02
- 公开(公告)号:JP5258277B2
- 申请日:2007-12-12
- 公开(公告)日:2013-08-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2008181099A
- 申请日:2007-12-12
- 公开(公告)日:2008-08-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:2014-09-26
- 公开(公告)号:JP5619310B2
- 申请日:2014-01-21
- 公开(公告)日:2014-11-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016194696A
- 申请日:2016-04-07
- 公开(公告)日:2016-11-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019020751A
- 申请日:2018-10-30
- 公开(公告)日:2019-02-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102692777A
- 申请日:2007-12-26
- 公开(公告)日:2012-09-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:藤川最史 | 木村肇