• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2003140149A
  • 申请日:2001-11-06
  • 公开(公告)日:2003-05-14
  • 当前申请(专利权)人:浅田 忠裕
  • 发明人:浅田 忠裕
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002141509A
  • 申请日:2000-11-01
  • 公开(公告)日:2002-05-17
  • 当前申请(专利权)人:松下電器産業株式会社
  • 发明人:森田 幸弘
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020090073452A
  • 申请日:2007-12-31
  • 公开(公告)日:2009-07-03
  • 当前申请(专利权)人:엘지디스플레이 주식회사
  • 发明人:윤지수 | 이재호 | 이태욱 | 이상대
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2004240410A
  • 申请日:2004-01-09
  • 公开(公告)日:2004-08-26
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:長田 俊彦 | 吉井 隆司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2002-06-11
  • 公开(公告)号:US6404472
  • 申请日:2000-07-10
  • 公开(公告)日:2002-06-11
  • 当前申请(专利权)人:ANDREATTA ALEJANDRO | DOI SHUJI
  • 发明人:ANDREATTA, ALEJANDRO | DOI, SHUJI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080151151A1
  • 申请日:2007-12-13
  • 公开(公告)日:2008-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2014-05-16
  • 公开(公告)号:JP5542990B2
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2014-07-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016194696A
  • 申请日:2016-04-07
  • 公开(公告)日:2016-11-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2013-05-02
  • 公开(公告)号:JP5258277B2
  • 申请日:2007-12-12
  • 公开(公告)日:2013-08-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页