• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020080860A
  • 申请日:2001-04-18
  • 公开(公告)日:2002-10-26
  • 当前申请(专利权)人:하이디스 테크놀로지 주식회사
  • 发明人:김향율 | 이승희
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002014660A
  • 申请日:2000-06-29
  • 公开(公告)日:2002-01-18
  • 当前申请(专利权)人:日本ビクター株式会社
  • 发明人:尾崎 重夫
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2006071891A
  • 申请日:2004-09-01
  • 公开(公告)日:2006-03-16
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:森 泰樹
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2005107306A
  • 申请日:2003-09-30
  • 公开(公告)日:2005-04-21
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:和田 武志 | 岩崎 一也
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101349845A
  • 申请日:2008-09-05
  • 公开(公告)日:2009-01-21
  • 当前申请(专利权)人:上海广电光电子有限公司
  • 发明人:陈文娟 | 叶訢
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2003044016A
  • 申请日:2001-08-02
  • 公开(公告)日:2003-02-14
  • 当前申请(专利权)人:松下電器産業株式会社
  • 发明人:廣畑 茂樹
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020013155A
  • 申请日:2019-09-25
  • 公开(公告)日:2020-01-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016014882A
  • 申请日:2015-08-04
  • 公开(公告)日:2016-01-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明 | 山崎 舜平
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110090416A1
  • 申请日:2010-10-18
  • 公开(公告)日:2011-04-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | SHISHIDO, HIDEAKI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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