• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN106873259A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2017-06-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103257488A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-08-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013214078A
  • 申请日:2013-05-17
  • 公开(公告)日:2013-10-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-07-08
  • 公开(公告)号:JP5965974B2
  • 申请日:2014-12-01
  • 公开(公告)日:2016-08-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017138635A5
  • 申请日:2017-05-23
  • 公开(公告)日:2017-09-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2018036673A
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2018-03-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-02-23
  • 公开(公告)号:US9268188
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2016-02-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150070621A1
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2015-03-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-07-18
  • 公开(公告)号:US9709861
  • 申请日:2016-02-19
  • 公开(公告)日:2017-07-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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