• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013174906A
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2013-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019200438A
  • 申请日:2019-08-06
  • 公开(公告)日:2019-11-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-10-04
  • 公开(公告)号:JP5376739B2
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2013-12-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20200117061A1
  • 申请日:2019-12-16
  • 公开(公告)日:2020-04-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2016-02-23
  • 公开(公告)号:US9268188
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2016-02-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150070621A1
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2015-03-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190346723A1
  • 申请日:2019-07-24
  • 公开(公告)日:2019-11-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2019-12-17
  • 公开(公告)号:US10509271
  • 申请日:2019-07-24
  • 公开(公告)日:2019-12-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-07-18
  • 公开(公告)号:US9709861
  • 申请日:2016-02-19
  • 公开(公告)日:2017-07-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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