• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019124954A
  • 申请日:2019-03-18
  • 公开(公告)日:2019-07-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130120435A
  • 申请日:2013-10-21
  • 公开(公告)日:2013-11-04
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2014-06-03
  • 公开(公告)号:KR101405906B1
  • 申请日:2013-10-21
  • 公开(公告)日:2014-06-17
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-12-08
  • 公开(公告)号:JP6254315B2
  • 申请日:2017-05-23
  • 公开(公告)日:2017-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-10-04
  • 公开(公告)号:JP5376739B2
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2013-12-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019200438A
  • 申请日:2019-08-06
  • 公开(公告)日:2019-11-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN106873259A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2017-06-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103257488A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-08-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20200117061A1
  • 申请日:2019-12-16
  • 公开(公告)日:2020-04-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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