• 授权日:2004-07-26
  • 公开(公告)号:KR100443236B1
  • 申请日:2001-11-08
  • 公开(公告)日:2004-08-04
  • 当前申请(专利权)人:엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
  • 发明人:마쓰모토기미카즈 | 와타나베마코토
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020036737A
  • 申请日:2001-11-08
  • 公开(公告)日:2002-05-16
  • 当前申请(专利权)人:엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
  • 发明人:마쓰모토기미카즈 | 와타나베마코토
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20020054267A1
  • 申请日:2001-11-07
  • 公开(公告)日:2002-05-09
  • 当前申请(专利权)人:GOLD CHARM LIMITED
  • 发明人:MATSUMOTO, KIMIKAZU | WATANABE, MAKOTO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012133335A
  • 申请日:2011-11-21
  • 公开(公告)日:2012-07-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:平形 吉晴
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  • 授权日:2003-08-26
  • 公开(公告)号:US6611305
  • 申请日:2001-03-14
  • 公开(公告)日:2003-08-26
  • 当前申请(专利权)人:BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
  • 发明人:KAMIJO, KIMITAKA | OKAMOTO, EIJI | TAKIZAWA, KEIJI
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  • 授权日:2010-07-14
  • 公开(公告)号:CN1952764B
  • 申请日:2006-10-17
  • 公开(公告)日:2010-07-14
  • 当前申请(专利权)人:三星电子株式会社
  • 发明人:金东奎
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1952764A
  • 申请日:2006-10-17
  • 公开(公告)日:2007-04-25
  • 当前申请(专利权)人:三星电子株式会社
  • 发明人:金东奎
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  • 授权日:2008-07-25
  • 公开(公告)号:JP4158848B2
  • 申请日:2001-12-28
  • 公开(公告)日:2008-10-01
  • 当前申请(专利权)人:ビオイ ハイディス テクノロジー カンパニー リミテッド
  • 发明人:崔 教 雲 | 金 永 求 | 李 建 昊
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120133878A1
  • 申请日:2011-11-23
  • 公开(公告)日:2012-05-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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